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磁控濺射法是在高真空充入適量的氬氣,在陰極(柱狀靶或平面靶)和陽極(鍍膜室壁) 之間施加幾百K 直流電壓,在鍍膜室內產生磁控型異常輝光放電,使氬氣發生電離。
是一種在沉積腔室利用輝光放電使其電離后在襯底上進行化學反應沉積的半導體薄膜材料制備和其他材料薄膜的制備方法
SI 500 PPD是電容平板式PECVD等離子沉積設備,主要用于SiO2,SiOxNy,SiNy,a-Si,SiC薄膜的沉積 。適用于2“--8“樣片的薄膜沉...
SI 500D等離子沉積系統是ICP-PECVD設備,利用ICP高密度等離子源來沉積電介質薄膜。可在極低溫度下( 100ºC)沉積高質量SiO2, S...
電子束蒸發系統是化合物半導體器件制作中的一種重要工藝技術。它是在高真空狀態下由電子束加熱坩堝中的金屬,使其熔融后蒸發到所需基片上形成金屬膜。可蒸發很多難熔金屬或...
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